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晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此,晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩定狀態。
將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃,固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%,然后淬火。經固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體,不會產生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內,碳的固溶體不超過0.02%,過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區消耗的鉻沒有時間補充,因此在晶界區形成鉻貧區。對于不銹鋼來說,由于晶界鈍化狀態的破壞,晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區成為陽極區,而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態成為陰極區。在腐蝕介質中,晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大,陽極面積比小,加速了晶界區域的腐蝕。
在金相顯微鏡和掃描電子顯微鏡下可以清楚地看到,鋼的晶界由于腐蝕而變寬,大多呈網狀,嚴重的情況下會出現晶粒脫落。
不銹鋼的晶間腐蝕是沿晶界優先發生的腐蝕。從20世紀30年代到50年代,它曾是最受關注和最常見的腐蝕失效形式。雖然不銹鋼的敏化晶間腐蝕事故已經大大減少,但非敏化晶間腐蝕的研究和解決仍需要人們繼續努力。
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