推薦使用超低碳鉻鎳奧氏體不銹鋼。由于超低碳[C & lt= 0.02 ~ 0.03%] Cr Ni奧氏體不銹鋼的強度低于Ti和Nb穩定不銹鋼。當強度不足時,可選擇氮控[n0.05 ~ 0.08%]和氮合金化[n & gt] = 0.10%]超低碳Cr - Ni奧氏體不銹鋼不僅強度高,而且比含Ti、Nb的奧氏體不銹鋼具有更好的抗晶間腐蝕和點蝕性能。
非敏化晶間腐蝕通常發生在遠離焊縫的母材上。其識別與敏化晶間腐蝕基本一致。在金相顯微鏡和掃描電鏡下觀察了Cr - Ni奧氏體不銹鋼在尿素生產裝置中的非敏化晶間腐蝕形貌。結果表明,這與上述的敏化晶間腐蝕有很大的不同。主要表現為寬大的晶間腐蝕裂紋,但往往延伸較淺,常伴有晶粒脫落,但在晶界處沒有析出物。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此,晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因為晶界的能量高,原子處于不穩定狀態。
根據稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導致晶界處銅含量較低。