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晶間腐蝕檢測(cè)方法有哪些

發(fā)布時(shí)間:2021-11-16 訪問量:693次 來(lái)源:隱石檢測(cè)
晶間腐蝕檢測(cè)方法有哪些,工業(yè)的發(fā)展,自然需要質(zhì)量的保證,為此金屬檢測(cè)就成為一門深受工業(yè)界重視的學(xué)科。我們只有通過檢測(cè)吃透金屬的特性,才能制造出更高質(zhì)量的金屬制品,隨著現(xiàn)代檢測(cè)技術(shù)的不斷發(fā)展,各種新型的檢測(cè)技術(shù)也隨之被金屬腐蝕檢測(cè)挖掘而出。

晶間腐蝕檢測(cè)方法有哪些

鈦和鈮:抗晶間腐蝕是有益的,因?yàn)樗麄兊挠H和力與C CR的大于C .為了防止鉻碳化物的形成,首先不銹鋼加熱到1100℃將所有碳化物溶解成奧氏體,然后冷卻到900℃幾個(gè)小時(shí)完全反應(yīng)Ti或與碳Nb。在后期碳化鉻析出溫度范圍內(nèi),加熱不會(huì)形成碳化鉻。


晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質(zhì),或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學(xué)成分不同,在合適的介質(zhì)中形成腐蝕電池。晶界為陽(yáng)極,晶界為陰極,晶界產(chǎn)生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質(zhì)。


晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。


鉻鎳奧氏體不銹鋼在使用前或從冶煉廠出廠時(shí)大多經(jīng)過固溶處理。不銹鋼加熱至高溫(約1000 ~ 1150°C,視鋼材類型而定),保溫后迅速冷卻(一般為水冷卻)。此時(shí),Cr - Ni奧氏體不銹鋼中的碳含量大于0.02 ~ 0.03%(隨鋼中Ni含量的不同而變化)時(shí),鋼中的碳處于過飽和狀態(tài)。隨后,在不銹鋼的加工和制造和使用的設(shè)備和組件,如果需要加熱的敏化溫度450 ~ 850°C(如焊接或使用在這個(gè)溫度范圍內(nèi)),鋼中的過飽和碳將擴(kuò)散到晶界,與附近的鉻沉淀并形成碳化鉻。


晶間腐蝕檢測(cè)方法有哪些

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