不銹鋼在酸性介質中存在嚴重的晶間腐蝕。特別是在H2SO4或HNO3中加入Cu2 +、Hg2 +、Cr6 +等氧化離子可以增加陰極過程的電流密度。晶間陽極的溶解速度明顯加快。

在某些合金介質體系中，常發(fā)生嚴重的晶間腐蝕。例如，奧氏體不銹鋼在弱氧化介質(如曝氣海水)或強氧化介質(如濃硝酸)等特定腐蝕介質中可能產(chǎn)生嚴重的晶間腐蝕。

將1Cr18Ni9奧氏體不銹鋼加熱到1050 ~ 1150℃，固溶碳的固溶度為0.10 ~ 0.15%，然后淬火。經(jīng)固溶處理的1Cr18Ni9鋼是一種碳過飽和體，不會產(chǎn)生晶間腐蝕。在700 ~ 800℃的溫度范圍內，碳的固溶體不超過0.02%，過飽和碳將從奧氏體中完全或部分析出。這時,碳會擴散到晶界和結合鐵和鉻在晶界形成硬質合金Cr23C6鉻含量高、消耗鉻在晶界面積,和鉻粒內擴散速度慢得多比在晶界,在晶界區(qū)消耗的鉻沒有時間補充，因此在晶界區(qū)形成鉻貧區(qū)。對于不銹鋼來說，由于晶界鈍化狀態(tài)的破壞，晶界上析出的碳化鉻周圍的貧鉻區(qū)成為陽極區(qū)，而碳化鉻和晶粒處于鈍化狀態(tài)成為陰極區(qū)。在腐蝕介質中，晶界和晶粒形成活化的鈍化微胞。電池陰極大，陽極面積比小，加速了晶界區(qū)域的腐蝕。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。