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點(diǎn)腐蝕檢測(cè)方法匯總

發(fā)布時(shí)間:2021-08-15 訪(fǎng)問(wèn)量:555次 來(lái)源:隱石檢測(cè)
點(diǎn)腐蝕檢測(cè)方法匯總,工業(yè)的發(fā)展,自然需要質(zhì)量的保證,為此金屬檢測(cè)就成為一門(mén)深受工業(yè)界重視的學(xué)科。我們只有通過(guò)檢測(cè)吃透金屬的特性,才能制造出更高質(zhì)量的金屬制品。金屬腐蝕檢測(cè)相關(guān)問(wèn)題一起來(lái)看下文介紹。

點(diǎn)腐蝕檢測(cè)方法匯總

鐵素體不銹鋼是一種在高低溫下要求自由σ相而只要求α相的不銹鋼。晶間腐蝕的特征是導(dǎo)致晶間腐蝕傾向的敏化處理和抑制或消除晶間腐蝕傾向的處理?xiàng)l件與奧氏體不銹鋼相反。


晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向,原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個(gè)取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€(gè)取向。因此,晶界實(shí)際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加,晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱(chēng)為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快,這是因?yàn)榫Ы绲哪芰扛撸犹幱诓环€(wěn)定狀態(tài)。


根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對(duì)于Ni Mo合金,ni7mo5在晶界處析出,鉬在晶界處含量較低;(3)對(duì)于銅鋁合金,CuAl2在晶界處析出,導(dǎo)致晶界處銅含量較低。


,建議含Ti和Nb的Cr Ni奧氏體不銹鋼只能在低碳和超低碳不銹鋼不能被替代的情況下使用,如用作耐熱鋼和在聚硫酸中使用。


點(diǎn)腐蝕檢測(cè)方法匯總

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